温度范围：通常在1100℃~1350℃之间，氮化铝陶瓷盘可采用微波烧结降低至1250℃，氮化硅基板烧结温度需更高（如1600-2000℃）。
气氛控制：需通入氮气/氢气保护，防止氧化。 压力辅助：部分工艺采用热压或等静压提升致密度。
优化方向
烧结助剂：氮化铝需添加Y₂O₃、CaO等助剂促进致密化，氮化硅可通过控制晶型（α/β/γ相）调整性能。 预处理：排胶阶段去除有机物残留（温度250-500℃），预烧阶段进一步降低碳含量。 这些只是烧结过程中的事情，设备不行，配方原料不行，检测设备不到位，ESC玩家卡在烧结。这里面的无论是工艺配方，还是参杂，都不是那么好搞的。稍微差一点，每次烧出来都白忙活。核心技术解释为什么重要。 高纯陶瓷材料配方体系需要拥有专利级陶瓷材料，如高纯氧化铝（Al₂O₃）、氧化钇（Y₂O₃）、氮化硅（Si₃N₄）、氮化铝（AlN）可针对不同刻蚀、沉积、清洗环境提供定制化材料解决方案。 等离子体耐蚀技术（Plasma Resistance）材料中引入微量稳定元素或晶体结构调控，提高对氟、氯气体腐蚀的耐久性特别适用于干法刻蚀腔体等高损耗部位。 精密陶瓷加工工艺（Hot Isostatic Pressing + CNC Grinding）使用热等静压（HIP）、超声波研磨、精密磨抛等技术，实现陶瓷件的亚微米级尺寸精度（甚至纳米级）确保刻蚀腔体部件形状稳定 + 等离子体对称分布高温烧结控制技术（Sintering Control）控制烧结温度/气氛/压强，实现致密度>99.9%的超低孔隙率陶瓷体降低颗粒脱落，防止“微污染”。 表面处理技术（Polishing & Coating）提供Mirror Polish、Plasma-Protective Coating、Ceramic-to-Metal Bonding 等处理用于防静电、防热冲击或电绝缘保护 。
需要指出的是，日韩企业静电卡盘基本采取的是单独售卖的销售模式，而美国的静电卡盘企业通常都是综合性的半导体设备制造商，他们通过将静电卡盘与所生产的 PVD、CVD 等半导体设备整机配套售卖的方式将静电卡盘销售至下游客户。同时由于静电卡盘使用寿命通常不超过两年，属于消耗品，因此对静电卡盘的替换也将贡献可观的销售收入。
